ایران ترجمه - مدل سازی اسپایس پیشرفته ماژول های پر قدرت ترانزیستور دو قطبی گیت عایق
به سایت ایران ترجمه خوش آمدید . Welcome To Irantarjome    جمعه 28 مهر 1396

منوی کاربری

:نام کاربری
:کلمه عبور


عضویت

گروه مقالات

بازکردن | بستن

کاربران آنلاین

کاربران مهمان : 92
کاربر تعداد بازدید
950072539 1

آمار سایت

جزئیات مقاله

تعداد بازدید این مقاله : 284


تاریخ انتشار مقاله : 1396 - 01 - 24

مدیر گروه / مترجم : محمد گلشن مقدم
کدترجمه: ELC-18-1
گروه: برق - الکترونیک->ترانزیستور
نام فارسی: مدل سازی اسپایس پیشرفته ماژول های پر قدرت ترانزیستور دو قطبی گیت عایق
نام انگلیسی: Advanced SPICE Modeling of Large Power IGBT Modules
تعداد صفحات فارسی: 25 تعداد صفحات انگلیسی: 7
قیمت:180000 ريال سال: 2004 انتشارات: IEEE
مرجع فارسی: مقالات IEEE در خصوص کاربردهای صنعتی
مرجع انگلیسی: IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY
دسته بندی: مقاله كامل توضیحات:
وب سایت: کشور: ایالات متحده
کلمات کلیدی: مدل ترانزیستور دو قطبی گیت عایق، پی اسپایس، شبیه سازی کانال IGBT; Insulated gate bipolar transistor (IGBT) model, PSPICE, trench IGBT simulation:

شرح مقاله:

 

«مختصر شده همین مقاله فقط با پنج هزار تومان - کلیک کنید»

 

مدل سازی اسپایس پیشرفته ماژول های پر قدرت ترانزیستور دو قطبی گیت عایق

 

فهرست مطالب

چکیده

1. مقدمه

 2. معادلات بار

الف. فرضیه اصلی در ارتباط با مدل Kraus 

ب. ویژگی تزریق p-i-n 

ج. دقت افزایش یافته در یک سطح بزرگ DMOS IGBTs 

د. ساختارهای IGBT با کانال منطبق 

3. وابستگی دمایی

4. مدلسازی لچ آپ

الف. لچ آپ حالت ثابت 

ب. لچ آپ دینامیکی

ج. نتایج شبیه سازی لچ آپ

5. نتیجه گیری

 

چکیده

در این مقاله، یک ترانزیستور دو قطبی گیت عایق ارتقاء یافته (IGBT) بر مبنای مدل Kraus و با گوناگونی های جدید بر اساس یک پارامتر فوق العاده، با قابلیت تزریق p-i-n، به منظور شبیه سازی کانال و ساختارهای DMOS IGBT ارائه شده است. وابستگی دمایی نیز در این مدل مشخص گردیده است. این مدل در مقایسه با برآوردهای حالت ثابت و گذرا با استفاده از یک ماژول 800-A 1.7-kV Dynex IGBT با دمای 25 و 125 درجه سلسیوس مورد بررسی و اعتبار سنجی قرار گرفته است. مدل Spice همچنین نشان دهنده توافق ممتازی با مود ترکیبی شبیه سازی های MEDICI می باشد.

...

 

کلمات کلیدی: مدل ترانزیستور دو قطبی گیت عایق (IGBT)، پی اسپایس (PSPICE)، شبیه سازی کانال IGBT.

 

 

1. مقدمه

صنایع مختلف تاکنون از مدل ترانزیستور دو قطبی گیت عایق Kraus (IGBT) با استفاده از SPICE و Saber سود برده است که علت آن را می توان ارائه یک رابطه متقابل ممتاز بین سرعت و پیچیدگی در شبیه سازی های dc و گذرا خواند. با این وجود، چنین موردی وابستگی دمایی یا تأثیرات خود حرارتی را به حساب نیاورده و هیچ گونه ایمنی مرتبط با وابستگی دمایی در سطح عملیاتی و ارزیابی های مربوطه (SOA) را در نظر نمی گیرد. به علاوه این مورد محدود به IGBTs نوع ـ DMOS می باشد. بنابراین نیاز فزاینده صنعتی برای شبیه سازی ها با استفاده از IGBTهای با سطح مساحت بزرگ، مخصوصاً IGBTها با کانال های خاص، احساس می شود اما در حال حاضر هیچ گونه مدل SPICE یا Saber توانمند و سریعی برای این ساختارها وجود ندارد.

...

 

مقالات مرتبط

تبلیغات

  • میدان انقلاب تهران
    تعداد بازدید : 4766
  • موسسه انتشارات صانعی
    تعداد بازدید : 4059
  • کتابخانه تخصصی زبان انگلیسی
    تعداد بازدید : 4326
  • گروه تجارت الکترونیک پارسا
    تعداد بازدید : 2620

تبلیغات کاربران