ایران ترجمه - فرآیندی برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله كربنی با بازدهی و كارآیی بالا
به سایت ایران ترجمه خوش آمدید . Welcome To Irantarjome    چهارشنبه 09 فروردين 1396

منوی کاربری

:نام کاربری
:کلمه عبور


عضویت

گروه مقالات

بازکردن | بستن

کاربران آنلاین

کاربران مهمان : 37
کاربر تعداد بازدید

آمار سایت

جزئیات مقاله

تعداد بازدید این مقاله : 84


تاریخ انتشار مقاله :

مدیر گروه / مترجم : دكتر حسين دشتي
کدترجمه: CHM-6-2
گروه: شیمی->الکتروشیمی
نام فارسی: فرآیندی برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله كربنی با بازدهی و كارآیی بالا
نام انگلیسی: A process for high yield and high performance carbon nanotube field effect transistors
تعداد صفحات فارسی: 15 تعداد صفحات انگلیسی: 4
قیمت:140,000 ريال سال: 2010 انتشارات: الزوير
مرجع فارسی: دپارتمان مهندسی الکترونیک، انستیتو الکترونیک، دانشگاه ملی چیائوتانگ، چین
مرجع انگلیسی: Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University,Taiwan, ROC Electronics and Opto-Electronics Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, Taiwan, ROC
دسته بندی: مقاله كامل توضیحات: رشته های مرتبط : نانو شیمی
وب سایت: کشور: تایوان
کلمات کلیدی: ترانزيستورهاي اثر ميداني,  نانو لوله كربني carbon nanotube, field effect transistors:

شرح مقاله:

 

«مختصر شده همین مقاله فقط با پنج هزار تومان - کلیک کنید»

 

فرآيندي براي ترانزيستورهاي اثر ميداني نانو لوله كربني با بازدهي و كارآيي بالا

 

فهرست مطالب

چكيده

مقدمه

ساخت ابزار

نتايج و بحث

نتیجه گیری

 

چكيده

ترانزيستورهاي اثر ميداني نانو لوله كربني(CNTFETها) به عنواني يكي از نمايندگان بالقوه براي CMOS داراي سيليسيوم اضافي نانو الكترونيك مورد توجه قرار گرفته اند اما توليد CNTFETهاي داراي كارآيي بالا و بازده بالا معمولا آسان نيست. در اين تحقيق، ما  CNTFETهاي داراي ورودي پايين محلي(LBG) همراه با مفهوم ابزار جديد و تكنولوژيهاي فرآيند بهينه شده را ارائه مي دهيم. كارايي بالاي CNTFET با نوسان آستانه كمmV/dec  139، رسانايي متقابل بالاي mS 27/1 و نسبت   برابر با 106 با تماس منبع /Ti خروجي Ti پس از فرآيند باز پخت ثانويه به آساني حاصل مي شود. بازده بالاي 74% ثبت شده است.

...

 

1- مقدمه  

در سالهاي اخير، براي كوچكتر كردن مقياس شكل هندسي ترانزيستورهاي اثر ميداني و اصلاح كارآيي ابزار، ترانزيستورهاي اثر ميداني نانو لوله كربني (CNTFET ها) توجه زيادي را بعنوان نماينده تكنولوژي داراي سيليسيوم اضافي به خود جلب كرده است]3-1[. قطر نانو لوله كربني تك ديواره(SWCNT) از nm1 تا nm2 تغيير مي كند. ساختار شبه تك بعدي، تحرك حاصل را شديداً افزايش مي دهد. براساس مراجع، تحرك ذاتي SWCNT نيم رسانا در دماي اتاق مي‌تواند از 100/000 cm2 V-1 s-1 تجاوز كند و چند SWCNT داراي كارايي بالا حاصل شود]6-4[.

...


مقالات مرتبط

تبلیغات

  • فروشگاه کتاب زبان ایران
    تعداد بازدید : 4253
  • میدان انقلاب تهران
    تعداد بازدید : 3814
  • موسسه انتشارات صانعی
    تعداد بازدید : 3122
  • کتابخانه تخصصی زبان انگلیسی
    تعداد بازدید : 3268
  • ایران مهتا
    تعداد بازدید : 1691
  • گروه تجارت الکترونیک پارسا
    تعداد بازدید : 1525

تبلیغات کاربران